參數(shù)資料
型號(hào)： 1N4148W-V-GS08
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 2-Pin SOD-123 T/R
中文描述： Diodes (General Purpose, Power, Switching) 100V Io/150mA
文件頁數(shù)： 2/5頁
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代理商： 1N4148W-V-GS08
1N4148W-G
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Rev. 1.2, 08-May-13
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2
Document Number: 81139
TYPICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
Fig. 1 -
Forward Characteristics
Fig. 2 -
Dynamic Forward Resistance vs.
Forward Current
Fig. 3 -
Admissible Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
Fig. 4 -
Relative Capacitance vs. Reverse Voltage
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
I
F
= 10 mA
I
F
= 100 mA
V
R
= 20 V
V
R
= 75 V
V
R
= 100 V
V
R
= 20 V, T
J
= 150 °C
Diode capacitance
V
F
= V
R
= 0 V
Tested with 50 mA pulses,
t
p
= 0.1 μs, rise time < 30 ns,
f
p
= (5 to 100) kHz
I
F
= 10 mA, I
R
= 1 mA,
V
R
= 6 V, R
L
= 100
SYMBOL
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
C
D
MIN.
TYP.
MAX.
1
1.2
25
5
100
50
4
UNIT
V
V
nA
μA
μA
μA
pF
Forward voltage
Leakage current
Voltage rise when switching ON
V
fr
2.5
V
Reverse recovery time
t
rr
4
ns
17437
0
1
2
V
F
(
V
)
I
F
10
-1
10
-2
1
10
10
2
10
3
T
j
= 100 °C
T
j
= 25 °C
17438
f = 1 kHz
T
j
= 25 °C
I
F
(mA)
R
f
Ω
)
10
10
2
10
3
10
4
10
-2
10
-1
1
10
2
10
2
5
2
5
2
5
2
5
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0
50
100
150
T
am
b
- Am
b
ient Temperat
u
re (°C)
P
t
w
e
20809
17440
V
R
(V)
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
f = 1 MHz
T
j
= 25 °C
2
0
8
6
4
10
C
D
R
)
C
D
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PDF描述
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