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1N6623US

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 800V 1A 2PIN D-5A - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Diode Switching 880V 1A 2-Pin A-MELF
  • 制造商
  • Microwave Semiconductor
  • 功能描述
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE RECT ULT FAST REC A-MELF
1N6623US 技術(shù)參數(shù)
  • 1N6623 功能描述:DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):880V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.55V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 880V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:10pF @ 10V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6622US 功能描述:DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):660V 電流 - 平均整流(Io):1.2A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 660V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:10pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應(yīng)商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6622 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):1.2A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):45ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 600V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應(yīng)商器件封裝:A-PAK 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 1N6621US/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):2A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.6V @ 2A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):45ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 400V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:10pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 1N6621US 功能描述:DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):440V 電流 - 平均整流(Io):1.2A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 440V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:10pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應(yīng)商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6628 1N6628US 1N6628US/TR 1N6629 1N6629US 1N6630 1N6630US 1N6631 1N6631US 1N6632 1N6632US 1N6633 1N6633US 1N6634 1N6634US 1N6635 1N6635US 1N6636
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