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1N6621US/TR

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  • 功能描述
  • UFR,FRR
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 二極管類(lèi)型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值)
  • 400V
  • 電流 - 平均整流(Io)
  • 2A
  • 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf
  • 1.6V @ 2A
  • 速度
  • 快速恢復(fù) = 200mA(Io)
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)
  • 45ns
  • 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流
  • 500nA @ 400V
  • 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容
  • 10pF @ 10V,1MHz
  • 安裝類(lèi)型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • SQ-MELF,A
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • D-5A
  • 工作溫度 - 結(jié)
  • -65°C ~ 150°C
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 100
1N6621US/TR 技術(shù)參數(shù)
  • 1N6621US 功能描述:DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):440V 電流 - 平均整流(Io):1.2A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):30ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 440V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 10V,1MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應(yīng)商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6621 功能描述:DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):440V 電流 - 平均整流(Io):1.2A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):30ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 440V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 10V,1MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6620US 功能描述:DIODE GEN PURP 220V 1.2A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):220V 電流 - 平均整流(Io):1.2A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):30ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 220V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 10V,1MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應(yīng)商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6620 功能描述:DIODE GEN PURP 220V 1.2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):220V 電流 - 平均整流(Io):1.2A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1.2A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):30ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 220V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 10V,1MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6549 功能描述:DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6626 1N6626US 1N6627 1N6627US 1N6628 1N6628US 1N6628US/TR 1N6629 1N6629US 1N6630 1N6630US 1N6631 1N6631US 1N6632 1N6632US 1N6633 1N6633US 1N6634
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