您好,歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊
您現(xiàn)在的位置:買賣IC網(wǎng) > 1字母型號搜索 > 1字母第5319頁 >

1N6633US

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1N6633US
    1N6633US

    1N6633US

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Microsemi Corporation

  • DIODE ZENER 3.6V 5W

  • 22+

  • -
  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
1N6633US PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 3.6V 5% 5W 2PIN D-5B - Bulk
1N6633US 技術(shù)參數(shù)
  • 1N6633 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 5W AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:250μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 標準包裝:1 1N6632US 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 5W D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):500 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:300μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 標準包裝:1 1N6632 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 5W AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):500 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:300μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應(yīng)商器件封裝:E,軸向 標準包裝:1 1N6631US 功能描述:DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1100V(1.1kV) 電流 - 平均整流(Io):1.4A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1.4A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):60ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4μA @ 1100V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:40pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應(yīng)商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6631 功能描述:DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1100V(1.1kV) 電流 - 平均整流(Io):1.4A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1.4A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):60ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4μA @ 1100V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:40pF @ 10V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6638US 1N6638US/TR 1N6639US 1N6640US 1N6642 1N6642U 1N6642US 1N6642US/TR 1N6642USE3 1N6643 1N6643US 1N6657 1N6657R 1N6658 1N6658R 1N6659 1N6659R 1N6660
配單專家
1N6633US相關(guān)熱門型號

在采購1N6633US進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買1N6633US產(chǎn)品風險,建議您在購買1N6633US相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責聲明:以上所展示的1N6633US信息由會員自行提供,1N6633US內(nèi)容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責。買賣IC網(wǎng)不承擔任何責任。

買賣IC網(wǎng) (m.beike2008.cn) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號