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1N6639US

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  • 標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
    標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強(qiáng)廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

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  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強(qiáng)廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • SIGNAL OR COMPUTER DIODE D LAW - Bulk
1N6639US 技術(shù)參數(shù)
  • 1N6638US/TR 功能描述:SWITCHING 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):125V 電流 - 平均整流(Io):300mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.1V @ 200mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):20ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 125V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:2.5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,D 供應(yīng)商器件封裝:D-5D 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 1N6638US 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6638 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6637US 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 5W D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):400 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,E 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6637 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 5W AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):400 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應(yīng)商器件封裝:E,軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6657R 1N6658 1N6658R 1N6659 1N6659R 1N6660 1N6660CAT1 1N6660CCT1 1N6660DT1 1N6660R 1N6661 1N6662 1N6662US 1N6663 1N6663US 1N6672 1N6672R 1N6673
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