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1N6625E3

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • 1N6625E3
    1N6625E3

    1N6625E3

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 230

  • MICROSEMI

  • 散裝

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1N6625E3
    1N6625E3

    1N6625E3

  • 標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司
    標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：83617149

    地址：新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 46

  • Microsemi Commercial Comp

  • 2016+

  • -

  • 公司現(xiàn)貨！只做原裝！

  • 1N6625E3
    1N6625E3

    1N6625E3

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 全新庫(kù)存現(xiàn)貨 電話010-6210493...

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共7條 
  • 1
1N6625E3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 二極管類型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）
  • 1100V（1.1kV）
  • 電流 - 平均整流（Io）
  • 1A
  • 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）
  • 1.95V @ 1.5A
  • 速度
  • 快速恢復(fù) = 200mA（Io）
  • 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）
  • 80ns
  • 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流
  • 1μA @ 1000V
  • 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容
  • -
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • A，軸向
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • A，軸向
  • 工作溫度 - 結(jié)
  • -65°C ~ 150°C
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
1N6625E3 技術(shù)參數(shù)
  • 1N6625 功能描述:DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1100V（1.1kV） 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.75V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:60ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1100V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A，軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6624US 功能描述:DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:990V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.55V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:50ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 990V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應(yīng)商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6624 功能描述:DIODE REC ULTRA FAST 1.8V PKG A 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6623US 功能描述:DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:880V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.55V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:50ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 880V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應(yīng)商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6623 功能描述:DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:880V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.55V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:50ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 880V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A，軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6629US 1N6630 1N6630US 1N6631 1N6631US 1N6632 1N6632US 1N6633 1N6633US 1N6634 1N6634US 1N6635 1N6635US 1N6636 1N6636US 1N6637 1N6637US 1N6638
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