1N6506

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ARRAY DIP SD - Rail/Tube

1N6506 技術(shù)參數(shù)

1N649UR-1 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 400MA DO213 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 400mA 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50nA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6492 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N649-1 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 400mA 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50nA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6490US 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N648UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6540 1N6541 1N6542 1N6543 1N6544 1N6545 1N6546 1N6547 1N6548 1N6549 1N6620 1N6620US 1N6621 1N6621US 1N6621US/TR 1N6622 1N6622US 1N6623