參數(shù)資料
型號： ZXMD63P02XTC
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： DUAL 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述： 1700 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-187AA
封裝： MSOP-8
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大小： 208K
代理商： ZXMD63P02XTC
TYPICAL CHARACTERISTICS
Basic Gate Charge Waveform
Gate Charge Test Circuit
Switching Time Waveforms
Switching Time Test Circuit
0.1
10
100
0
4
4.5
-V
DS
- Drain Source Voltage (V)
Capacitance v Drain-Source Voltage
0
500
C
ID=-1.2A
V
5
0
Q -Charge (nC)
Gate-Source Voltage v Gate Charge
Ciss
Coss
Crss
Vgs=0V
f=1Mhz
700
200
400
600
100
300
1
4.5
4
3.5
2.5
VDS=-16V
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
1
2
3
1.5
0.5
ZXMD63P02X
46
PROVISIONAL ISSUE A - JUNE 1999
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXMD63P03X DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMD63P03XTA DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMD63P03XTC DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMHC3A01T8 TWEEZER THERMAL
ZXMHC3A01T8TA COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
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參數(shù)描述
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ZXMD65N02N8TA 功能描述:MOSFET N-CHAN DUAL 20V 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
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