參數(shù)資料
型號(hào)： ZXMD63P03X
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述： 1200 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： MSOP-8
文件頁(yè)數(shù)： 1/7頁(yè)
文件大?。?/td> 210K
代理商： ZXMD63P03X
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SUMMARY
V
(BR)DSS
=-30V; R
DS(ON)
=0.185
V
; I
D
=-2.0A
DESCRIPTION
This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilises a unique
structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching
speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power
management applications.
FEATURES
Low on-resistance
Fast switching speed
Low threshold
Low gate drive
Low profile SOIC package
APPLICATIONS
DC - DC Converters
Power Management Functions
Disconnect switches
Motor control
ORDERING INFORMATION
DEVICE
REEL SIZE
(inches)
TAPE WIDTH (mm)
QUANTITY
PER REEL
ZXMD63P03XTA
7
12mm embossed
1000 units
ZXMD63P03XTC
13
12mm embossed
4000 units
DEVICE MARKING
ZXM63P03
DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
MSOP8
ZXMD63P03X
49
PROVISIONAL ISSUE A - JULY 1999
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXMD63P03XTA DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMD63P03XTC DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMHC3A01T8 TWEEZER THERMAL
ZXMHC3A01T8TA COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
ZXMHC3A01T8TC COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXMD63P03X_05 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMD63P03XTA 功能描述:MOSFET Dual 30V P Chl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMD63P03XTC 功能描述:MOSFET Dual 30V P Chl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMD65N02N8TA 功能描述:MOSFET N-CHAN DUAL 20V 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
ZXMD65N03N8 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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