| 型號(hào): | ZXMD63P03X | 
| 廠(chǎng)商: | ZETEX PLC | 
| 元件分類(lèi): | 小信號(hào)晶體管 | 
| 英文描述: | DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 
| 中文描述: | 1200 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | 
| 封裝: | MSOP-8 | 
| 文件頁(yè)數(shù): | 6/7頁(yè) | 
| 文件大小: | 210K | 
| 代理商: | ZXMD63P03X | 

| 相關(guān)PDF資料 | PDF描述 | 
|---|---|
| ZXMD63P03XTA | DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 
| ZXMD63P03XTC | DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 
| ZXMHC3A01T8 | TWEEZER THERMAL | 
| ZXMHC3A01T8TA | COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE | 
| ZXMHC3A01T8TC | COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE | 
| 相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) | 參數(shù)描述 | 
|---|---|
| ZXMD63P03X_05 | 制造商:ZETEX 制造商全稱(chēng):ZETEX 功能描述:DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 
| ZXMD63P03XTA | 功能描述:MOSFET Dual 30V P Chl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| ZXMD63P03XTC | 功能描述:MOSFET Dual 30V P Chl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| ZXMD65N02N8TA | 功能描述:MOSFET N-CHAN DUAL 20V 8-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):SI7948DP-T1-GE3DKR | 
| ZXMD65N03N8 | 制造商:ZETEX 制造商全稱(chēng):ZETEX 功能描述:DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |