參數(shù)資料
型號(hào): ZXMD63P03X
廠(chǎng)商: ZETEX PLC
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述: 1200 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: MSOP-8
文件頁(yè)數(shù): 6/7頁(yè)
文件大小: 210K
代理商: ZXMD63P03X
TYPICAL CHARACTERISTICS
Basic Gate Charge Waveform
Gate Charge Test Circuit
Switching Time Waveforms
Switching Time Test Circuit
0.1
10
100
0
4
8
-V
DS
- Drain Source Voltage (V)
Capacitance v Drain-Source Voltage
0
500
C
ID=-1.2A
-
G
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Q -Charge (nC)
Gate-Source Voltage v Gate Charge
VDS=-24V
Ciss
Coss
Crss
Vgs=0V
f=1Mhz
VDS=-15V
3
7
1
2
5
6
1
400
300
200
600
100
ZXMD63P03X
54
PROVISIONAL ISSUE A - JULY 1999
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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ZXMD63P03XTC DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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參數(shù)描述
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ZXMD63P03XTC 功能描述:MOSFET Dual 30V P Chl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMD65N02N8TA 功能描述:MOSFET N-CHAN DUAL 20V 8-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):SI7948DP-T1-GE3DKR
ZXMD65N03N8 制造商:ZETEX 制造商全稱(chēng):ZETEX 功能描述:DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET