參數(shù)資料
型號： ZXMC4559DN8TC
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： TIP REPLACEMENT .125 700 DEG
中文描述： 3600 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 282K
代理商： ZXMC4559DN8TC
ZXMC4559DN8
ISSUE 5 - MAY 2005
4
S E M IC O N D U C T O R S
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX .
UNIT
CONDITIONS.
STATIC
Drain-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS (th)
R
DS (on)
60
V
I
D
=250 A, V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
GS
=
20V, V
DS
=0V
I
D
=250 A, V
DS
= V
GS
V
GS
=10V, I
D
=4.5A
V
GS
=4.5V, I
D
=4.0A
V
DS
=15V,I
D
=4.5A
Zero Gate Voltage Drain Current
1.0
A
Gate-Body Leakage
100
nA
Gate-Source Threshold Voltage
1.0
V
Static Drain-Source On-State
Resistance
(1)
Forward Transconductance
(1) (3)
DYNAMIC
(3)
0.055
0.075
g
fs
10.2
S
Input Capacitance
C
iss
C
oss
C
rss
1063
pF
V
DS
=30V, V
GS
=0V,
f=1MHz
Output Capacitance
104
pF
Reverse Transfer Capacitance
SWITCHING
(2) (3)
64
pF
Turn-On Delay Time
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
3.5
ns
V
DD
=30V, I
D
=1A
R
G
6.0 , V
GS
=10V
Rise Time
4.1
ns
Turn-Off Delay Time
26.2
ns
Fall Time
10.6
ns
Gate Charge
11.0
nC
V
DS
=30V,V
GS
=5V,
I
D
=4.5A
Total Gate Charge
Q
g
Q
gs
Q
gd
20.4
nC
V
DS
=30V,V
GS
=10V,
I
D
=4.5A
Gate-Source Charge
4.1
nC
Gate-Drain Charge
5.1
nC
SOURCE-DRAIN DIODE
Diode Forward Voltage
(1)
V
S D
0.85
1.2
V
T
J
=25°C, I
S
=5.5A,
V
GS
=0V
T
J
=25°C, I
F
=2.2A,
di/dt= 100A/ s
Reverse Recovery Time
(3)
Reverse Recovery Charge
(3)
t
rr
Q
rr
22
ns
21.4
nC
N-CHANNEL
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
NOTES
(1) Measured under pulsed conditions. Width
300 s. Duty cycle
2% .
(2) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
(3) For design aid only, not subject to production testing.
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