| 型號(hào): | ZXMC4559DN8TC |
| 廠商: | ZETEX PLC |
| 元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述: | TIP REPLACEMENT .125 700 DEG |
| 中文描述: | 3600 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝: | SOIC-8 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 282K |
| 代理商: | ZXMC4559DN8TC |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXMC6A09DN8 | COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMC6A09DN8TA | COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMC6A09DN8TC | COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMD63C02X | 20V DUAL N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMD63C02XTA | TWEEZER CURVED PRECISION TIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZXMC4A16DN8 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMC4A16DN8TA | 功能描述:MOSFET 40V N/P-Channel Enhancement MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZXMC4A16DN8TC | 功能描述:MOSFET N/P-CHAN DUAL 40V 8SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| ZXMC6A09DN8 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMC6A09DN8TA | 功能描述:MOSFET Comp. 60V NP-Chnl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |