參數(shù)資料
型號(hào)： ZXMC4559DN8TC
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： TIP REPLACEMENT .125 700 DEG
中文描述： 3600 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 282K
代理商： ZXMC4559DN8TC
ZXMC4559DN8
ISSUE 5 - MAY 2005
2
S E M IC O N D U C T O R S
PARAMETER
J unction to Ambient
(a) (d)
J unction to Ambient
(b) (e)
J unction to Ambient
(b) (d)
SYMBOL
VALUE
UNIT
R
J A
100
°C/W
R
J A
69
°C/W
R
J A
58
°C/W
THERMAL RESISTANCE
Notes
(a) For a dual device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with coverage of single sided 1oz copper in still air conditions.
(b) For a dual device surface mounted on FR4 PCB measured at t
10 sec.
(c) Repetitive rating 25mm x 25mm FR4 PCB, D=0.02 pulse width=300 s - pulse width limited by maximum junction temperature.
(d) For a device with one active die.
(e) For device with 2 active die running at equal power.
PARAMETER
SYMBOL
N-Channel
P-Channel
UNIT
Drain-Source Voltage
V
DS S
V
GS
I
D
60
-60
V
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current @V
GS
=10V; T
A
=25 C
(b) (d)
20
20
V
@V
GS
=10V; T
A
=25 C
(b) (d)
@V
GS
=10V; T
A
=25 C
(a) (d)
4.7
3.7
3.6
-3.9
-2.8
-2.6
A
A
A
Pulsed Drain Current
(c)
Continuous Source Current (Body Diode)
(b)
I
DM
I
S
I
S M
P
D
22.2
-18.3
A
3.4
-3.2
A
Pulsed Source Current (Body Diode)(c)
Power Dissipation at TA=25°C
(a) (d)
Linear Derating Factor
22.2
-18.3
A
1.25
10
W
mW/°C
Power Dissipation at TA=25°C
(a) (e)
Linear Derating Factor
P
D
1.8
14
W
mW/°C
Power Dissipation at TA=25°C
(b) (d)
Linear Derating Factor
P
D
2.1
17
W
mW/°C
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
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PDF描述
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