參數(shù)資料
型號: ZXMC4559DN8TA
廠商: ZETEX PLC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: TIP REPLACEMENT .062 800 DEG
中文描述: 3600 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: SOIC-8
文件頁數(shù): 7/10頁
文件大小: 282K
代理商: ZXMC4559DN8TA
ZXMC4559DN8
ISSUE 5 - MAY 2005
7
S E M IC O N D U C T O R S
0
1
10
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
C
RSS
C
OSS
C
ISS
V
=0V
f=1MHz
C
V
DS
- Drain- SourceVoltage(V)
CapacitancevDrain-SourceVoltage
0
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
I
D
=4.5A
V
DS
=30V
Gate-SourceVoltagevGateCharge
Q- Charge(nC)
V
G
G
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXMC4559DN8TC TIP REPLACEMENT .125 700 DEG
ZXMC6A09DN8 COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMC6A09DN8TA COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMC6A09DN8TC COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMD63C02X 20V DUAL N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXMC4559DN8TC 功能描述:功率驅(qū)動器IC 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
ZXMC4A16DN8 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMC4A16DN8TA 功能描述:MOSFET 40V N/P-Channel Enhancement MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMC4A16DN8TC 功能描述:MOSFET N/P-CHAN DUAL 40V 8SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
ZXMC6A09DN8 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET