參數(shù)資料
型號： ZXMC4559DN8TA
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： TIP REPLACEMENT .062 800 DEG
中文描述： 3600 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 282K
代理商： ZXMC4559DN8TA
ZXMC4559DN8
ISSUE 5 - MAY 2005
2
S E M IC O N D U C T O R S
PARAMETER
J unction to Ambient
(a) (d)
J unction to Ambient
(b) (e)
J unction to Ambient
(b) (d)
SYMBOL
VALUE
UNIT
R
J A
100
°C/W
R
J A
69
°C/W
R
J A
58
°C/W
THERMAL RESISTANCE
Notes
(a) For a dual device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with coverage of single sided 1oz copper in still air conditions.
(b) For a dual device surface mounted on FR4 PCB measured at t
10 sec.
(c) Repetitive rating 25mm x 25mm FR4 PCB, D=0.02 pulse width=300 s - pulse width limited by maximum junction temperature.
(d) For a device with one active die.
(e) For device with 2 active die running at equal power.
PARAMETER
SYMBOL
N-Channel
P-Channel
UNIT
Drain-Source Voltage
V
DS S
V
GS
I
D
60
-60
V
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current @V
GS
=10V; T
A
=25 C
(b) (d)
20
20
V
@V
GS
=10V; T
A
=25 C
(b) (d)
@V
GS
=10V; T
A
=25 C
(a) (d)
4.7
3.7
3.6
-3.9
-2.8
-2.6
A
A
A
Pulsed Drain Current
(c)
Continuous Source Current (Body Diode)
(b)
I
DM
I
S
I
S M
P
D
22.2
-18.3
A
3.4
-3.2
A
Pulsed Source Current (Body Diode)(c)
Power Dissipation at TA=25°C
(a) (d)
Linear Derating Factor
22.2
-18.3
A
1.25
10
W
mW/°C
Power Dissipation at TA=25°C
(a) (e)
Linear Derating Factor
P
D
1.8
14
W
mW/°C
Power Dissipation at TA=25°C
(b) (d)
Linear Derating Factor
P
D
2.1
17
W
mW/°C
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXMC4559DN8TC TIP REPLACEMENT .125 700 DEG
ZXMC6A09DN8 COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMC6A09DN8TA COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMC6A09DN8TC COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMD63C02X 20V DUAL N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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ZXMC4A16DN8 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMC4A16DN8TA 功能描述:MOSFET 40V N/P-Channel Enhancement MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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ZXMC6A09DN8 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
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