參數(shù)資料
型號(hào)： ZXMC4559DN8
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述： 互補(bǔ)60V的增強(qiáng)型MOS管
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大小： 282K
代理商： ZXMC4559DN8
ZXMC4559DN8
ISSUE 5 - MAY 2005
2
S E M IC O N D U C T O R S
PARAMETER
J unction to Ambient
(a) (d)
J unction to Ambient
(b) (e)
J unction to Ambient
(b) (d)
SYMBOL
VALUE
UNIT
R
J A
100
°C/W
R
J A
69
°C/W
R
J A
58
°C/W
THERMAL RESISTANCE
Notes
(a) For a dual device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with coverage of single sided 1oz copper in still air conditions.
(b) For a dual device surface mounted on FR4 PCB measured at t
10 sec.
(c) Repetitive rating 25mm x 25mm FR4 PCB, D=0.02 pulse width=300 s - pulse width limited by maximum junction temperature.
(d) For a device with one active die.
(e) For device with 2 active die running at equal power.
PARAMETER
SYMBOL
N-Channel
P-Channel
UNIT
Drain-Source Voltage
V
DS S
V
GS
I
D
60
-60
V
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current @V
GS
=10V; T
A
=25 C
(b) (d)
20
20
V
@V
GS
=10V; T
A
=25 C
(b) (d)
@V
GS
=10V; T
A
=25 C
(a) (d)
4.7
3.7
3.6
-3.9
-2.8
-2.6
A
A
A
Pulsed Drain Current
(c)
Continuous Source Current (Body Diode)
(b)
I
DM
I
S
I
S M
P
D
22.2
-18.3
A
3.4
-3.2
A
Pulsed Source Current (Body Diode)(c)
Power Dissipation at TA=25°C
(a) (d)
Linear Derating Factor
22.2
-18.3
A
1.25
10
W
mW/°C
Power Dissipation at TA=25°C
(a) (e)
Linear Derating Factor
P
D
1.8
14
W
mW/°C
Power Dissipation at TA=25°C
(b) (d)
Linear Derating Factor
P
D
2.1
17
W
mW/°C
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXMC4559DN8TA TIP REPLACEMENT .062 800 DEG
ZXMC4559DN8TC TIP REPLACEMENT .125 700 DEG
ZXMC6A09DN8 COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMC6A09DN8TA COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMC6A09DN8TC COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
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參數(shù)描述
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