參數(shù)資料
型號： ZXMC3AM832(2)
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 280K
代理商： ZXMC3AM832(2)
ZXMC3AM832
PROVISIONAL ISSUE E - J ULY 2004
3
1
10
10m
100m
1
10
0
25
50
Temperature(°C)
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
1m
10m 100m
PulseWidth(s)
1
10
100
1k
20
40
60
80
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
0.1
1
10
100
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
1
10
10m
100m
1
10
Note(a)(f)
100us
100ms
1s
R
Limited
1ms
N-channel SafeOperating Area
SinglePulse, T
amb
=25°C
DC
10ms
I
D
D
V
Drain-SourceVoltage(V)
1ozCu
Note(d)(f)
1ozCu
Note(d)(g)
2ozCu
Note(a)(f)
2ozCu
Note(e)(g)
Derating Curve
M
Note(a)(f)
D=0.2
D=0.5
D=0.1
Transient Thermal Impedance
SinglePulse
D=0.05
T
1ozcopper
Note(g)
1ozcopper
Note(f)
2ozcopper
Note(f)
2ozcopper
Note(g)
Thermal Resistancev BoardArea
T
BoardCuArea(sqcm)
1ozcopper
Note(g)
2ozcopper
Note(g)
1ozcopper
Note(f)
2ozcopper
Note(f)
PowerDissipationv BoardArea
T
amb
=25°C
T
=150°C
Continuous
P
D
D
BoardCuArea(sqcm)
DC1s
100ms
10ms
Note(a)(f)
SinglePulse, T
amb
=25°C
1ms
100us
R
Limited
P-channel SafeOperating Area
-V
Drain-SourceVoltage(V)
-
D
D
TYPICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXMC3AM832TA MPPS⑩ Miniature Package Power Solutions COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMC3AM832TC MPPS⑩ Miniature Package Power Solutions COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMC4559DN8 COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMC4559DN8TA TIP REPLACEMENT .062 800 DEG
ZXMC4559DN8TC TIP REPLACEMENT .125 700 DEG
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXMC3AM832TA 功能描述:MOSFET Cmp 30V NP Ch UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMC3AM832TC 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:MPPS⑩ Miniature Package Power Solutions COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMC3AMC 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:30V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMC3AMCTA 功能描述:MOSFET 30V COMP ENH MODE 20V VGS 3.7 IDS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMC3F31DN8 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:30V SO8 Complementary dual enhancement mode
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