參數(shù)資料
型號(hào)： ZVP3306
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
中文描述： P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管垂直的DMOS
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 81K
代理商： ZVP3306
TYPICAL CHARACTERISTICS
Output Characteristics
V
DS
- Drain Source
Voltage (Volts)
D
-
-0.8
-0.6
-0.4
0
-0.2
-1.0
Transfer Characteristics
Normalised R
DS(on)
and V
GS(th)
vs Temperature
Junction Temperature (°C)
N
D
G
-40 -20
0
20 40 60 80
120
100
140 160
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.6
0.8
DranSourceResstanceR
DS(on
Gate Threshold Voltage V
GS(TH)
I
D=
0.37A
0
-2
-4
-6
-8
-10
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
0
-0.2
0
-10
-20
-30
-40
-50
Saturation Characteristics
On-resistance vs Drain Current
I
D-
Drain Current
(mA)
-6
0
-2
-4
-8
0
-2
-4
-6
-8
-10
-10
V
D
D
V
R
(
)
Voltage Saturation Characteristics
V
GS-
Gate Source Voltage
(Volts)
-0.6
0
-0.2
-0.4
-0.8
0
-2
-4
-6
-8
-10
-1.0
V
GS=
-20V
-16V
-14V
-6V
-7V
-8V
-5V
-4V
-16V
-14V
-9V
-8V
I
D=
-
400mA
-200mA
-100mA
V
DS=-
10V
V
GS-
Gate Source
Voltage (Volts)
V
GS=
-10V
I
D=
-1mA
V
GS=
V
DS
-1.2
-10V
-9V
-10V
-6V
2.6
180
10
1
100
-10
-100
-1000
V
GS
=-5V
-15V
-20V
-7V
-6V
-5V
-4.5V
-7V
-10V
-12V
V
GS
=
-12V
D
-
V
DS
- Drain Source
Voltage (Volts)
D
O
ZVP3306A
3-429
3-430
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZVP3306A Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PC06; Number of Contacts:4; Connector Shell Size:8; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight
ZVP3306F Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PC06; No. of Contacts:4; Connector Shell Size:8; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight
ZVP3310 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVP3310A P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVP3310F P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZVP3306A 功能描述:MOSFET P-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZVP3306A 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P E-LINE
ZVP3306ASTOA 功能描述:MOSFET P-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZVP3306ASTOB 功能描述:MOSFET P-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZVP3306ASTZ 功能描述:MOSFET P-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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