參數(shù)資料
型號： ZTX749A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP Low Saturation Transistor
中文描述： 2000 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AE
封裝： TO-226AE, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 40K
代理商： ZTX749A
Package Dimensions
Z
TO-226
Dimensions in Millimeters
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. C, August 2003
S0.51-0.36;
S0.76-
0.36;
S1.40-1.14;
S1.40-1.14;
S4.70-4.32;
S2.41-2.13;
S4.45-3.81;
5" TYP
S1.52-1.02;
2" TYP
2" TYP
S7.73-7.10;
S7.87-7.37;
S15.61-14.47;
S1.65-1.27;
0.51
S0.48-0.30;
TO-226AE (95,99)
1
99
95
3
C
B
2
B
C
1
E
E
P
3
2
For leadformed option ordering,
refer to Tape & Reel data information.
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ZTX749A_J05Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT 35V PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX749A_J61Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT 35V PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX749A_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT 35V PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX749DA 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | CHIP
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