參數(shù)資料
型號(hào)： ZTX749
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
中文描述： 2000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： E-LINE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 59K
代理商： ZTX749
PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 1 APRIL 94
FEATURES
*
25 Volt V
CEO
*
2 Amp continuous current
*
Low saturation voltage
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
-35
V
Collector-Emitter Voltage
-25
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Peak Pulse Current
-6
A
Continuous Collector Current
-2
A
Power Dissipation at T
=25°C
derate above 25°C
1
5.7
W
mW/ °C
Operating and Storage Temperature Range
T
j:
T
stg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-35
V
I
C
=-100
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-25
V
I
C
=-10mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-0.1
-10
μ
A
μ
A
V
CB
=-30V
V
CB
=-30V,
T
amb
=100°C
Emitter Cut-Off Current I
EBO
-0.1
μ
A
V
EB
=-4V, I
E
=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.12
-0.23
-0.3
-0.5
V
V
I
C
=1A, I
B
=-100mA*
I
C
=2A, I
B
=-200mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-0.9
-1.25
V
I
C
=1A, I
B
=-100mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
-0.8
-1
V
IC=-1A, V
CE
=-2V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
70
100
75
15
200
200
150
50
300
I
C
=-50mA, V
=-2V*
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
I
C
=-2A, V
CE
=-2V*
I
C
=-6A, V
CE
=-2V*
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
E-Line
TO92 Compatible
ZTX749
3-254
C
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