參數(shù)資料
型號(hào)： ZTX718
廠商： ZETEX PLC
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
中文描述： 2500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： E-LINE PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 85K
代理商： ZTX718
ZTX718
0.2
0
0.3
1.0
0.8
0.4
0.6
0.2
0
1.4
1
10
0.01
0.1
100V
10V
1V
0.1V
0
0.2
450
225
0.4
0.1
1mA
100mA
10mA
1A
10A
10A
1A
100mA
10mA
1mA
10A
1A
10mA
100mA
1mA
1mA
100mA
10mA
1A
10A
1mA
100mA
10mA
I
C
-Collector Current
1A
10A
0.4
0.8
0.6
0
1.0
100us
10ms
1s
DC
100ms
1ms
-55°C
100°C
25°C
I
C
/I
B
=10
I
C
/I
B
=10
I
C
/I
B
I
C
/I
B
=30
25°C
25°C
100°C
-55°C
25°C
100°C
-55°C
I
C
/I
B
=10
V
CE
=2V
25°C
100°C
-55°C
V
CE
=2V
0.6
0.5
0.5
0.6
0.1
0.4
0.3
0
0.2
1.2
1.2
I
C
-Collector Current
I
C
-Collector Current
V
CE(sat)
v I
C
I
C
-Collector Current
V
CE(sat)
v I
C
I
C
-Collector Current
h
FE
v I
C
V
BE(sat)
v Ic
V
BE(on)
v I
C
V
C
V
C
V
B
-
H
f
-
V
B
I
C
V
CE
- Collector Voltage
Safe Operating Area
TYPICAL CHARACTERISTICS
Single Pulse Test Tamb=25C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZTX749A PNP Low Saturation Transistor
ZTX749 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
ZTX751STOA Transient Voltage Suppressor Diodes
ZTX750 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
ZTX751 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZTX718 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR PNP E-LINE
ZTX718STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Gain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX718STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Gain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX718STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Gain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX749 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP MED PWR 25V 2A -35VCBO -25VCEO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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