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參數(shù)資料
| 型號： | ZTX704 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| 中文描述： | 1000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | ZTX704 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
ZTX704
ZTX705
UNIT
CONDITIONS.
MIN.
MAX. MIN.
MAX.
Static Forward
Current Transfer
Ratio
h
FE
3K
3K
3K
2K
30K
3K
3K
3K
2K
30K
I
C
=-10mA, V
CE
=-5V*
I
C
=-100mA, V
=-5V*
I
C
=-1A, V
CE
=-5V*
I
C
=-2A, V
CE
=-5V*
I
=-100mA, V
CE
=-10V
f=20MHz
Transition
Frequency
f
T
160 Typical
160 Typical MHz
Input Capacitance
C
ibo
C
obo
t
on
90 Typical
90 Typical
pF
V
EB
=-0.5V, f=1MHz
V
CE
=-10V, f=1MHz
I
C
=-0.5A, V
=-10V
I
B1
=I
B2
=-0.5mA
Output Capacitance
15 Typical
15 Typical
pF
Switching Times
0.6 Typical
0.6 Typical
μ
s
μ
s
t
off
0.8 Typical
0.8 Typical
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
The maximum permissible operational temperature can be obtained from this graph using
the following equation
T
amb
(
max
)
=
Power
(
max
)
Power
(
act
)
0.0057
+
25°
C
T
amb(max
= Maximum operating ambient temperature
Power(max) = Maximum power dissipation figure, obtained from the above graph for a
given V
CE
and source resistance (R
S
)
Power(actual)= Actual power dissipation in users circuit
ZTX704
ZTX705
Voltage Derating Graph
V
CE
- Collector-Emitter Voltage (Volts)
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.2
R
S
= 22K
1
10
100
DC Conditions
R
S
= 100K
R
S
= 1M
R
S
=
∞
M
3-251
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZTX718 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR |
| ZTX749A | PNP Low Saturation Transistor |
| ZTX749 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| ZTX751STOA | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZTX750 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZTX704M1 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:Obsolete |
| ZTX704M1TA | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:Obsolete |
| ZTX704STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 120V TRANS 1A 3K Gain 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX704STOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 120V TRANS 1A 3K Gain 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX704STZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 120V TRANS 1A 3K Gain 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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