參數(shù)資料
型號(hào): ZTX658
廠商: ZETEX PLC
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
中文描述: 500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
文件頁數(shù): 2/3頁
文件大?。?/td> 58K
代理商: ZTX658
ZTX658
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Transition Frequency f
T
50
MHz
I
=20mA, V
CE
=20V
f=20MHz
Collector-Base
Breakdown Voltage
C
obo
10
pF
V
CB
=20V, f=1MHz
Switching times
t
on
t
off
130
3300
ns
ns
I
C
=100mA, V
C
=100V
I
B1
=10mA, I
B2
=-20mA
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
2%
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL
MAX.
UNIT
Thermal Resistance:Junction to Ambient
1
Junction to Ambient
2
Junction to Case
R
th(j-amb)1
R
th(j-amb)2
R
th(j-case)
175
116
70
°C/W
°C/W
°C/W
Device mounted on P.C.B. with copper equal to 1 sq. Inch minimum.
-40
0.0001
Derating curve
T
-Temperature
(°C)
M
-
Maximum transient thermal impedance
Pulse Width (seconds)
T
10
100
1
0.1
0.01
-20
0
20
40
60 80 100 120
200
180
160
140
0.001
0
100
200
D=0.2
D=0.1
Single Pulse
D=0.5
t
1
t
P
D=t
1
/t
1.0
0.5
2.0
1.5
Casetempeaue
2.5
Ambient temperature
0
D=1 (D.C.)
3-230
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZTX688 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ZTX688B NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ZTX689B NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ZTX690B Controllers; For Use With:E5ZN series; Mounting Type:DIN RoHS Compliant: Yes
ZTX692 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZTX658_02 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ZTX658STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX658STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX658STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX688 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR