型號: | XN0B301 |
英文描述: | Composite Device - Composite Transistors |
中文描述: | 復(fù)合設(shè)備-復(fù)合晶體管 |
文件頁數(shù): | 4/5頁 |
文件大?。?/td> | 205K |
代理商: | XN0B301 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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XN1B301 | Composite Device - Composite Transistors |
XN0B301(XN1B301) | 複合デバイス - 複合トランジスタ |
XN0C301(XN1C301) | 複合デバイス - 複合トランジスタ |
XN0D873 | Composite Device - Composite Transistors |
XN1D873 | Composite Device - Composite Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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XN0B301(XN1B301) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス - 複合トランジスタ |
XN0B30100L | 功能描述:TRANS ARRAY PNP/NPN MINI-5P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN(雙) 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大):- 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402 |
XN0C301 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor (Tr1) |
XN0C301(XN1C301) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス - 複合トランジスタ |