參數(shù)資料
型號: XN0B301
英文描述: Composite Device - Composite Transistors
中文描述: 復(fù)合設(shè)備-復(fù)合晶體管
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大?。?/td> 205K
代理商: XN0B301
XN
0
C301
4
Tr2
I
C
I
B
I
C
V
CE
I
B
V
BE
0
0
10
2
4
8
6
60
50
40
30
20
10
V
CE
(V)
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
160
μ
A
140
μ
A
120
μ
A
100
μ
A
80
μ
A
60
μ
A
40
μ
A
20
μ
A
0
0
1
000
800
600
I
B
(
μ
A)
400
200
240
200
160
120
80
40
C
V
CE
=
10 V
T
a
=
25
°
C
0
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1
200
1
000
800
600
400
200
V
BE
(V)
B
μ
A
V
CE
=
10 V
T
a
=
25
°
C
I
C
V
BE
h
FE
I
C
V
CE(sat)
I
C
0
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
240
200
160
120
80
40
V
BE
(V)
C
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0.01
0.03
0.1
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
C
I
C
(mA)
IC / IB
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
0.1
0.3
600
500
400
300
200
100
1
3
10
30
100
F
I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
0.1
0.3
300
240
180
120
60
1
3
10
30
100
T
I
E
(mA)
V
CB
=
10 V
T
a
=
25
°
C
f
T
I
E
NV
I
C
0
10
240
200
160
120
80
40
30
100
300
1
000
50
500
20
200
I
C
(
μ
A)
V
CE
=
10 V
G
=
80 dB
Function
=
FLAT
T
a
=
25
°
C
4.7 k
R
g
=
100 k
22 k
相關(guān)PDF資料
PDF描述
XN1B301 Composite Device - Composite Transistors
XN0B301(XN1B301) 複合デバイス - 複合トランジスタ
XN0C301(XN1C301) 複合デバイス - 複合トランジスタ
XN0D873 Composite Device - Composite Transistors
XN1D873 Composite Device - Composite Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
XN0B301(XN1B301) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス - 複合トランジスタ
XN0B30100L 功能描述:TRANS ARRAY PNP/NPN MINI-5P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN(雙) 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大):- 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
XN0C301 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor (Tr1)
XN0C301(XN1C301) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス - 複合トランジスタ