參數(shù)資料
型號(hào)： XN0B301
英文描述： Composite Device - Composite Transistors
中文描述： 復(fù)合設(shè)備-復(fù)合晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 205K
代理商： XN0B301
XN
0
C301
2
V
CBO
V
CEO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
I
E
=
10
μ
A, I
C
=
0
V
CB
=
20 V, I
E
=
0
V
CE
=
10 V, I
B
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
2 mA
I
C
=
100 mA, I
B
=
10 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
2 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
0
, f
=
1 MHz
60
V
50
V
V
EBO
I
CBO
I
CEO
7
V
0.1
μ
A
μ
A
100
h
FE
160
460
V
CE(sat)
f
T
0.1
0.3
V
150
MHz
C
ob
3.5
pF
I
Tr2
(
)
T
a
=
25
°
C
P
T
T
a
0
100
200
300
400
500
0
20
40
80
60
140
120
100
160
T
a
(
°
C)
T
Tr1
I
C
I
B
I
C
V
CE
I
B
V
BE
0
0
18
2
4
6
8
10
12
14
16
60
50
40
30
20
10
V
CE
(V)
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
300
μ
A
250
μ
A
200
μ
A
150
μ
A
100
μ
A
50
μ
A
0
0
100
200
300
400
60
50
40
30
20
10
I
B
(
μ
A)
C
V
CE
=
5 V
T
a
= 25
°
C
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
400
350
300
250
200
150
100
50
V
BE
(V)
B
μ
A
V
CE
=
–5 V
T
a
=
25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
XN1B301 Composite Device - Composite Transistors
XN0B301(XN1B301) 複合デバイス － 複合トランジスタ
XN0C301(XN1C301) 複合デバイス － 複合トランジスタ
XN0D873 Composite Device - Composite Transistors
XN1D873 Composite Device - Composite Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
XN0B301(XN1B301) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ
XN0B30100L 功能描述:TRANS ARRAY PNP/NPN MINI-5P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
XN0C301 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor (Tr1)
XN0C301(XN1C301) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ
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