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參數(shù)資料
| 型號： | XN05601(XN5601) |
| 英文描述： | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| 中文描述： | 複合デバイス-複合トランジスタ |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 199K |
| 代理商： | XN05601(XN5601) |
4
Composite Transistors
XN05601
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
NF — I
E
NF — I
E
h Parameter — I
E
h Parameter — V
CE
Characteristics charts of Tr2
I
C
— V
CE
I
B
— V
BE
I
C
— V
BE
0
0.1
0.3
Emitter current I
E
(mA)
40
80
120
160
140
100
60
20
1
3
10
30
100
T
T
V
CB
=
–
10V
Ta=25
C
0
–
1
–
5
–
20
–
2
8
7
6
5
4
3
2
1
–
3
–
50
–
10
–
30
–
100
C
o
Collector to base voltage V
CB
(V)
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25
C
0
0.03
Emitter current I
E
(mA)
6
5
4
3
2
1
0.1
0.3
1
3
10
N
V
CB
=
–
5V
f=1kHz
R
g
=2k
Ta=25
C
0
0.1
20
2
18
4
6
8
10
12
14
16
0.3
1
3
10
2
0.5
0.2
Emitter current I
E
(mA)
5
N
V
CB
=
–
5V
R
g
=50k
Ta=25
C
f=100Hz
10kHz
1kHz
1
0.1
2
3
5
10
20
30
50
100
200
300
0.3
1
3
10
2
0.5
0.2
Emitter current I
E
(mA)
5
P
V
CE
=
–
5V
f=270Hz
Ta=25
C
h
fe
h
oe
(
μ
S)
h
ie
(k
)
h
re
(
×
10
–
4
)
1
0.1
2
3
5
10
20
30
50
100
200
300
0.3
1
3
10
2
0.5
0.2
5
P
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
I
E
=2mA
f=270Hz
Ta=25
C
h
fe
h
oe
(
μ
S)
h
ie
(k
)
h
re
(
×
10
–
4
)
0
0
10
2
4
8
6
60
50
40
30
20
10
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
Ta=25
C
I
B
=160
μ
A
140
μ
A
120
μ
A
100
μ
A
80
μ
A
60
μ
A
40
μ
A
20
μ
A
0
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1200
1000
800
600
400
200
Base to emitter voltage V
BE
(V)
B
B
μ
A
V
CE
=10V
Ta=25
C
0
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
240
200
160
120
80
40
Base to emitter voltage V
BE
(V)
C
C
V
CE
=10V
Ta=75
C
–
25
C
25
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XN06435 | TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SC-74 |
| XN06435(XN6435) | XN06435 (XN6435) - Composite Transistors |
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| XN06776 | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| XN06112 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-74 |
| XN06112(XN6112) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ |
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