參數(shù)資料
型號(hào): XN05601(XN5601)
英文描述: 複合デバイス - 複合トランジスタ
中文描述: 複合デバイス-複合トランジスタ
文件頁(yè)數(shù): 3/6頁(yè)
文件大小: 199K
代理商: XN05601(XN5601)
3
Composite Transistors
XN05601
Common characteristics chart
P
T
— Ta
Characteristics charts of Tr1
I
C
— V
CE
I
C
— I
B
I
B
— V
BE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
0
100
200
300
400
500
0
40
80
120
160
Ambient temperature Ta (
C)
T
T
0
0
18
2
4
6
8
10
12
14
16
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
60
50
40
30
20
10
C
C
Ta=25
C
I
B
=
300
μ
A
250
μ
A
200
μ
A
150
μ
A
100
μ
A
50
μ
A
0
0
100
Base current I
B
(
μ
A)
200
300
400
60
50
40
30
20
10
C
C
V
CE
=
5V
Ta=25
C
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
400
350
300
250
200
150
100
50
Base to emitter voltage V
BE
(V)
B
B
μ
A
V
CE
=
5V
Ta=25
C
0
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
240
200
160
120
80
40
Base to emitter voltage V
BE
(V)
C
C
V
CE
=
5V
Ta=75
C
25
C
25
C
0.001
0.003
1
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
10
30
100
300
1000
Collector current I
C
(mA)
C
C
I
C
/I
B
=10
Ta=75
C
25
C
25
C
0
1
3
600
500
400
300
200
100
10
30
100
300
1000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=
10V
Ta=75
C
25
C
25
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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XN06776 複合デバイス - 複合トランジスタ
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