參數(shù)資料
型號： XN01509(XN1509)
英文描述： Composite Device - Composite Transistors
中文描述： 復(fù)合設(shè)備-復(fù)合晶體管
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： XN01509(XN1509)
2
Composite Transistors
XN01509
PT — Ta
IC — VCE
IC — VBE
VCE(sat) — IC
hFE — IC
fT — IE
Cob — VCB
0
160
40
120
80
240
200
160
120
80
40
Ambient temperature Ta (C)
Total
power
dissipation
P
T
(mW
)
0
012
210
48
6
120
100
80
60
40
20
Collector to emitter voltage VCE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
Ta=25C
IB=300
A
100
A
150
A
200
A
250
A
50
A
0
60
50
40
30
20
10
Base to emitter voltage VBE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0
1.2
0.2
1.0
0.4
0.8
0.6
VCE=10V
Ta=75C
– 25C
25C
0.01
0.03
13
0.1
0.3
1
3
10
30
100
10
30
100
300
1000
Collector current IC (mA)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
IC/IB=10
Ta=75C
25C
– 25C
0
0.1
0.3
600
500
400
300
200
100
1
3
10
30
100
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current IC (mA)
VCE=10V
Ta=75C
25C
– 25C
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
Emitter current IE (mA)
0
600
500
400
300
200
100
VCB=10V
Ta=25C
0
1
6
5
4
3
2
1
3
10
30
100
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage VCB (V)
f=1MHz
IE=0
Ta=25C
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PDF描述
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