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參數(shù)資料
| 型號： | X28HT010W |
| 廠商： | INTERSIL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 5V, Byte Alterable EEPROM |
| 中文描述： | 128K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, UUC |
| 封裝： | WAFER |
| 文件頁數(shù)： | 18/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 444K |
| 代理商： | X28HT010W |
18
FN8105.1
February 12, 2007
Packaging Information
0.300 BSC
0.458 Max.
0.450 ± 0.008
Pin 1
0.035 x 45° Ref.
0.085 ± 0.010
0.020 (1.02) x 45° Ref.
Typ. (3) Plcs.
0.050 BSC
0.400 BSC
0.708 Max.
0.060/0.120
Pin #1 Index Corner
1. ALL DIMENSIONS IN INCHES (IN PARENTHESES IN MILLIMETERS)
2. TOLERANCE: ±1% NLT±0.005 (0.127)
0.700 ± 0.010
0.005/0.015
0.025 ± 0.003
0.050 ± 0.005
0.006/0.022
Detail A
Detail A
32-Pad Stretched Ceramic Leadless Chip Carrier Package Type N
NOTES:
X28C010, X28HT010
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| X2N3922 | MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET HENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
| X2N4338-41 | N-Channel JFET Low Noise Amplifier |
| X2N4339 | N-Channel JFET Low Noise Amplifier |
| X2N4351 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Purpose Amplifier/Switch |
| X2N4352 | P-Channel Enhancement Mode MOSFET Amplifier/Switch |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| X28HT512 | 制造商:XICOR 制造商全稱:Xicor Inc. 功能描述:High Temperature, 5 Volt, Byte Alterable E2PROM |
| X28HT512D-20 | 制造商:XICOR 制造商全稱:Xicor Inc. 功能描述:High Temperature, 5 Volt, Byte Alterable E2PROM |
| X28HT512D-25 | 制造商:XICOR 制造商全稱:Xicor Inc. 功能描述:High Temperature, 5 Volt, Byte Alterable E2PROM |
| X28HT512F-20 | 制造商:XICOR 制造商全稱:Xicor Inc. 功能描述:High Temperature, 5 Volt, Byte Alterable E2PROM |
| X28HT512F-25 | 制造商:XICOR 制造商全稱:Xicor Inc. 功能描述:High Temperature, 5 Volt, Byte Alterable E2PROM |
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