參數(shù)資料
型號: WED9LC6416V1512BI
廠商: MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS
元件分類: 存儲器
英文描述: SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153
封裝: MO-163, BGA-153
文件頁數(shù): 8/27頁
文件大?。?/td> 334K
代理商: WED9LC6416V1512BI
16
White Electronic Designs Corporation Westborough, MA (508) 366-5151
White Electronic Designs
WED9LC6416V
FIG. 7 SDRAM READ &WRITE CYCLE AT SAME BANK @BURST LENGTH = 4
0
1
2
3
4
5
6
7
SDCLK
SDCE
SDRAS
SDWE
ADDR
Ra
Ca0
Cb0
CL=2
CL=3
tRAC
tSAC
tSHZ
Qa0
Qa1
Qa2
BA0,1
[A11,A12]
SDA10
Ra
Rb
BWE
Row Active
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
DON’T CARE
SDCAS
Rb
DQ
tOH
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
tRDL
tRC
tRCD
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PDF描述
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WME128K8-150CIE 128K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, CDIP32
WME128K8-150DEIEA 128K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, CDSO32
WME128K8-200DEIEA 128K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, CDSO32
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參數(shù)描述
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