參數(shù)資料
型號(hào)： WED9LC6416V1512BI
廠商： MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS
元件分類： 存儲(chǔ)器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153
封裝： MO-163, BGA-153
文件頁(yè)數(shù)： 10/27頁(yè)
文件大小： 334K
代理商： WED9LC6416V1512BI
18
White Electronic Designs Corporation Westborough, MA (508) 366-5151
White Electronic Designs
WED9LC6416V
FIG. 9 SDRAM PAGE READ CYCLE AT DIFFERENT BANK @BURST LENGTH = 4
0
1
2
3
4
5
6
7
SDCLK
SDWE
SDCAS
ADDR
RAa
RBb
CAa
CBb
CAe
CBd
CAc
BA0,1
[A11,A12]
SDA10
RAa
CL=2
QAa1
QAa0
QAa2 QAa3 QBb0 QBb1 QBb2
QAc1
QBb3 QAc0
QBd0 QBd1 QAe0 QAe1
CL=3
DQ
QAa1
QAa0
QAa2 QAa3 QBb0 QBb1
QAc0
QBb2 Qbb3
QAc1 QBd0 QBd1 QAe0 QAe1
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
DON T CARE
SDCE
SDRAS
BWE
Note 2
Note 1
NOTES:
1. SDCE can be “don ’t care ” when SDRAS, SDCAS and SDWE are high at the clock going high edge.
2. To interrupt a burst read by Row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
WEDF1M32B-90G2TC5 1M X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CQFP68
WF128K16-70CC5 128K X 16 FLASH 5V PROM MODULE, 70 ns, CDIP40
WME128K8-150CIE 128K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, CDIP32
WME128K8-150DEIEA 128K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, CDSO32
WME128K8-200DEIEA 128K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, CDSO32
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
WED9LC6416V1610BC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM
WED9LC6416V1610BI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM
WED9LC6416V1612BC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM
WED9LC6416V1612BI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM
WED9LC6416V2010BC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM
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