參數(shù)資料
型號(hào)： WED9LC6416V1510BI
廠商： MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS
元件分類： 存儲(chǔ)器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153
封裝： MO-163, BGA-153
文件頁數(shù)： 24/27頁
文件大?。?/td> 334K
代理商： WED9LC6416V1510BI
6
White Electronic Designs Corporation Westborough, MA (508) 366-5151
White Electronic Designs
WED9LC6416V
SSRAM OPERATION TRUTH TABLE
Operation
Address Used
SSCE
SSADS
SSWE
SSOE
DQ
Deselected Cycle, Power Down
None
H
L
X
High-Z
WRITE Cycle, Begin Burst
External
L
X
D
READ Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
Q
READ Cycle, Begin Burst
External
L
H
High-Z
READ Cycle, Suspend Burst
Current
X
H
L
Q
READ Cycle, Suspend Burst
Current
X
H
High-Z
READ Cycle, Suspend Burst
Current
H
L
Q
READ Cycle, Suspend Burst
Current
H
High-Z
WRITE Cycle, Suspend Burst
Current
X
H
L
X
D
WRITE Cycle, Suspend Burst
Current
H
L
X
D
NOTE:
1. X means “don’t care”, H means logic HIGH. L means logic LOW.
2. All inputs except SSOE must meet setup and hold times around the rising edge (LOW to HIGH) of SSCLK.
3. Suspending burst generates wait cycle
4. For a write operation following a read operation, SSOE must be HIGH for data tS + tOEHZ and must stay HIGH throughout the input data hold time.
SSRAM PARTIAL TRUTH TABLE
Function
SSWE BWE0 BWE1 BWE2 BWE3
READ
H
X
WRITE one Byte (DQ0-7)L
L
H
WRITE all Bytes
L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
WEDF1M32B-70H1C5A 1M X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 70 ns, CPGA66
WEDF1M32B-90G2UM5A 1M X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CQFP68
WF128K16-50CC5A 128K X 16 FLASH 5V PROM MODULE, 50 ns, CDIP40
WME128K8-120DEQA 128K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, CDSO32
WME128K8-200CQE 128K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, CDIP32
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
WED9LC6416V1512BC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM
WED9LC6416V1512BI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM
WED9LC6416V1610BC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM
WED9LC6416V1610BI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM
WED9LC6416V1612BC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM
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