- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄245682 > WED9LC6416V1510BI (MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS) SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | WED9LC6416V1510BI |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153 |
| 封裝： | MO-163, BGA-153 |
| 文件頁數(shù)： | 14/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 334K |
| 代理商： | WED9LC6416V1510BI |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁當前第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁
21
White Electronic Designs Corporation (508) 366-5151 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
WED9LC6416V
FIG. 12 SDRAM READ &WRITE CYCLE WITH AUTO PRECHARGE
@BURST LENGTH = 4
NOTES:
1. tCDL should be controlled to meet minimum tRAS before internal precharge start. (In the case of Burst Length =1 &2 and BRSW mode)
0
1
2
3
4
5
6
7
SDCLK
CL=2
Qa1
Qa0
Qa2
Qa3
Db2
Db0
Db1
Db3
Note 1
QAa0
QAa3
QAa1 QAa2
DBb2
DBb0 DBb1
DBb3
tCDL
CL=3
DQ
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Read with
Auto Precharge
(A-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(A-Bank)
Write with
Auto Precharge
(B-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(B-Bank)
DON T CARE
SDCE
SDRAS
SDCAS
ADDR
RAa
Rb
Ca
Cb
BA0,1
[A11,A12]
SDWE
SDA10
Ra
Rb
BWE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WEDF1M32B-70H1C5A | 1M X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 70 ns, CPGA66 |
| WEDF1M32B-90G2UM5A | 1M X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CQFP68 |
| WF128K16-50CC5A | 128K X 16 FLASH 5V PROM MODULE, 50 ns, CDIP40 |
| WME128K8-120DEQA | 128K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, CDSO32 |
| WME128K8-200CQE | 128K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, CDIP32 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| WED9LC6416V1512BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM |
| WED9LC6416V1512BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM |
| WED9LC6416V1610BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM |
| WED9LC6416V1610BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM |
| WED9LC6416V1612BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。