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參數(shù)資料
| 型號： | W9N150V |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-channel 1500V - 2.2ヘ - 8A - TO-247 Very high voltage PowerMESH⑩ Power MOSFET |
| 中文描述： | N溝道1500V的- 2.2ヘ- 8A條-對247高電壓PowerMESH⑩功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 2/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 141K |
| 代理商： | W9N150V |
Electrical ratings
STW9N150
2/9
1
Electrical ratings
Table 2.
Table 1.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
Drain-source voltage (V
GS
= 0)
1500
V
V
GS
Gate- source voltage
± 30
V
I
D
Drain current (continuous) at T
C
= 25°C
8
A
I
D
Drain current (continuous) at T
C
= 100°C
5
A
I
DM (1)
1.
Pulse width limited by safe operating area
Drain current (pulsed)
32
A
P
TOT
Total dissipation at T
C
= 25°C
350
W
Derating factor
0.37
W/°C
T
j
T
stg
Operating junction temperature
Storage temperature
-55 to 150
°C
Thermal data
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rthj-case Thermal resistance junction-case max
0.36
°C/W
Rthj-amb Thermal resistance junction-ambient max
62.5
°C/W
Table 3.
Avalanche characteristics
Symbol
Parameter
Max value
Unit
I
AR
Avalanche current, repetitive or not-repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Tbd
A
E
AS
Single pulse avalanche energy
(starting T
j
= 25°C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50V)
Tbd
mJ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WA-A240PAI | Peripheral Interface |
| WA-A240PAM | Peripheral Interface |
| WA-A233CBC | Peripheral Interface |
| WA-A233CBI | Peripheral Interface |
| WA-A233CBM | Peripheral Interface |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| W9Q308727KD-222 | 功能描述:MODULE SDR100 SDRAM 64MB 168DIMM RoHS:否 類別:存儲卡，模塊 >> 存儲器 - 模塊 系列:- 標準包裝:100 系列:- 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:1GB 速度:133MHz 特點:- 封裝/外殼:168-DIMM |
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