- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄203637 > W9812G21H-6C (WINBOND ELECTRONICS CORP) 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5 ns, PDSO86 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | W9812G21H-6C |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 25/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 1422K |
| 代理商： | W9812G21H-6C |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁當(dāng)前第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁
W9812G2IH
Publication Release Date:Nov. 06, 2008
- 31 -
Revision A01
11.10 Auto-precharge Write (Burst Length = 4)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
CLK
DQ
CKE
DQM
A0-A9,
A11
A10
BS1
WE
CAS
RAS
CS
BS0
tRC
tRAS
tRP
tRAS
tRP
RAa
tRCD
RAb
RAc
RAa
CAw
RAb
CAx
RAc
aw0
aw1
aw2
aw3
bx0
bx1
bx2
bx3
Active
Write
AP*
Active
Write
AP*
* AP is the internal precharge start timing
Bank #0
Idle
Bank #1
Bank #2
Bank #3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W9812G6JH-6 | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| W986416AH-10 | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, PDSO54 |
| W986432DH-6 | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO86 |
| W986432DH-8 | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO86 |
| W987Z6CBG80 | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W9812G2GB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-6 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-6I | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-75 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:a high-speed synchronous dynamic random access memory (SDRAM), organized as 1,048,576 words 】 4 banks 】 32 bits |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。