- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄203637 > W9812G21H-6C (WINBOND ELECTRONICS CORP) 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5 ns, PDSO86 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | W9812G21H-6C |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 20/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 1422K |
| 代理商： | W9812G21H-6C |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁當(dāng)前第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁
W9812G2IH
Publication Release Date:Nov. 06, 2008
- 27 -
Revision A01
11.6 Interleaved Bank Write (Burst Length = 8, Auto-precharge)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
tRC
tRAS
tRP
tRAS
tRCD
tRRD
RAa
CAx
RBb
CBy
RAb
RAc
ax0
ax1
ax4
ax5
ax6
ax7
by0
by1
by2
by3
by4
by5
by6
by7
CZ0
CZ1
CZ2
CAz
* AP is the internal precharge start timing
CLK
DQ
CKE
DQM
A0-A9
A11
A10
BS0
WE
CAS
RAS
CS
BS1
Active
Write
Active
Bank #0
Idle
Bank #1
Bank #2
Bank #3
AP*
Active
Write
AP*
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W9812G6JH-6 | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| W986416AH-10 | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, PDSO54 |
| W986432DH-6 | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO86 |
| W986432DH-8 | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO86 |
| W987Z6CBG80 | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W9812G2GB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-6 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-6I | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-75 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:a high-speed synchronous dynamic random access memory (SDRAM), organized as 1,048,576 words 】 4 banks 】 32 bits |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。