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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W3E16M64S-250BC |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 64 DDR DRAM, 0.8 ns, PBGA219 |
| 封裝： | 21 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219 |
| 文件頁數(shù)： | 10/16頁 |
| 文件大小： | 406K |
| 代理商： | W3E16M64S-250BC |
3
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
W3E16M64S-XBX
January 2008
Rev. 5
A0-12
BA0-1
CLK0#
CLK#
DQ0
DQ15
CKE0
CKE
CS0#
CS#
DQML0
DQML
DQMH0
DQMH
RAS1#
WE1#
CAS1#
DQ0
DQ15
U1
A0-12
BA0-1
CLK1#
CLK#
DQ16
DQ31
RAS0#
WE0#
CAS0#
DQ0
DQ15
U0
CKE1
CKE
CS1#
CS#
DQML1
DQML
DQMH1
DQMH
RAS2#
WE2#
CAS2#
DQ0
DQ15
U2
A0-12
BA0-1
CLK2#
CLK#
DQ32
DQ47
CKE2
CKE
CS2#
CS#
DQML2
DQML
DQMH2
DQMH
RAS3#
WE3#
CAS3#
DQ0
DQ15
WE#
U3
RAS#
A0-12
BA0-1
CLK3#
CLK#
CAS#
WE# RAS# CAS#
DQ48
DQ63
CKE3
CKE
CS3#
CS#
DQSL3
DQSL
DQSH3
DQSH
Y=
CLK3
CLK
VREF
DQSL2
DQSL
DQSH2
DQSH
VREF
DQSL1
DQSL
DQSH1
DQSH
VREF
DQSL0
DQSL
DQSH0
DQSH
VREF
CLK2
CLK
CLK1
CLK
CLK0
CLK
VREF
DQML3
DQML
DQMH3
DQMH
FIGURE 2 – FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W3E16M72S-266BI | 16M X 72 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA219 |
| W3E16M72S-200BI | 16M X 72 DDR DRAM, 0.8 ns, PBGA219 |
| W3E16M72SR-200BM | 16M X 72 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA219 |
| W3E16M72SR-200BC | 16M X 72 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA219 |
| W3E16M72SR-200BM | 16M X 72 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA219 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W3E16M64S-250BI | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:16M X 64 DDR, 2.5V, 250 MHZ, 219 PBGA, INDUSTRIAL TEMP. - Bulk |
| W3E16M64S-250BM | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:16M X 64 DDR, 2.5V, 250 MHZ, 219 PBGA, MIL-TEMP. - Bulk |
| W3E16M64S-266BC | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:16M X 64 DDR, 2.5V, 266 MHZ, 219 PBGA, COMMERCIAL TEMP. - Bulk |
| W3E16M64S-266BI | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:16M X 64 DDR, 2.5V, 266 MHZ, 219 PBGA, INDUSTRIAL TEMP. - Bulk |
| W3E16M64S-266BM | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:16M X 64 DDR, 2.5V, 266 MHZ, 219 PBGA, MIL-TEMP. - Bulk |
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