型號: | VP2206 |
廠商: | ELAN Microelctronics Corp . |
英文描述: | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-60V,0.9Ω,P溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管) |
中文描述: | P通道增強(qiáng)模式垂直的DMOS場效應(yīng)管(擊穿電壓- 60V的,0.9Ω,P溝道增強(qiáng)型垂直的DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管) |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大小: | 33K |
代理商: | VP2206 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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VP2206 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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VP2450 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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VP2206N2 | 功能描述:MOSFET 60V 0.9Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
VP2206N3 | 功能描述:MOSFET 60V 0.9Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
VP2206N3-G | 功能描述:MOSFET 60V 0.9Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
VP2206N3-G P002 | 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET |
VP2206N3-G P003 | 制造商:Supertex Inc 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 0.64A 3-Pin TO-92 T/R 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET |