參數(shù)資料
型號： VNS3NV04DTR-E
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
中文描述： OMNIFET二充分autoprotected功率MOSFET
文件頁數(shù)： 15/21頁
文件大小： 311K
代理商： VNS3NV04DTR-E
VNS3NV04D-E
Electrical specifications
15/21
Figure 27.
Normalized Input threshold
voltage Vs. temperature
Figure 28.
Normalized current limit Vs.
junction temperature
Figure 29.
Step response current limit
-50
-25
0
25
50
Tc (oC)
75
100
125
150
175
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
Vinth (V)
Vds=Vin
Id=1mA
-50
-25
0
25
50
Tc (oC)
75
100
125
150
175
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Ilim (A)
Vin=5V
Vds=13V
5
7.5
10
12.5
15
17.5
20
22.5
25
27.5
30
32.5
Vdd(V)
7.5
8
8.5
9
9.5
10
10.5
11
11.5
12
12.5
13
Tdlim(usec)
Vin=5V
Rg=220ohm
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PDF描述
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參數(shù)描述
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VNS3NV04TR-E 功能描述:MOSFET N-Ch 40V 3.5A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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