參數(shù)資料
型號： VNS3NV04DTR-E
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
中文描述： OMNIFET二充分autoprotected功率MOSFET
文件頁數(shù)： 14/21頁
文件大小： 311K
代理商： VNS3NV04DTR-E
Electrical specifications
VNS3NV04D-E
14/21
Figure 21.
Turn off Drain-Source voltage
slope
Figure 22.
Capacitance variations
Figure 23.
Switching time resistive load Figure 24.
Switching time resistive load
Figure 25.
Output characteristics
Figure 26.
Normalized On resistance Vs.
temperature
0
250
500
750
1000
1250
1500
1750
2000
2250
2500
Rg(ohm)
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
300
dv/dt(V/usec)
Vin=3.5V
Vdd=15V
Id=1.5A
0
5
10
15
20
25
30
35
Vds(V)
50
100
150
200
250
300
350
C(pF)
f=1MHz
Vin=0V
0
250
500
750
1000
1250
1500
1750
2000
2250
2500
Rg(ohm)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
t(usec)
Vdd=15V
Id=1.5A
Vin=5V
td(off)
tr
td(on)
tf
3.25
3.5
3.75
4
4.25
4.5
4.75
5
5.25
Vin(V)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
t(nsec)
Vdd=15V
Id=1.5A
Rg=220ohm
tf
tr
td(off)
td(on)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Vds (V)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Id (A)
Vin=4V
Vin=5V
Vin=3V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Tc )oC)
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
Rds(on) (mOhm)
Vin=5V
Id=1.5A
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