參數(shù)資料
型號： VN5770AK-E
廠商： 意法半導體
英文描述： Quad smart power solid state relay for complete H bridge configurations
中文描述： 四完整的智能功率H橋配置固態(tài)繼電器
文件頁數(shù)： 15/31頁
文件大小： 429K
代理商： VN5770AK-E
VN5770AK-E
Electrical characteristics
15/31
3.2
Electrical characteristics for low side switches
Note:
Values specified in this section are for -40°C < Tj < 150°C, unless otherwise specified
Table 12.
Table 13.
Table 14.
Table 15.
Off
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
CLAMP
Drain-source Clamp
Voltage
V
IN
=0V; I
D
=1.5A
40
45
55
V
V
CLTH
Drain-source Clamp
Threshold Voltage
V
IN
=0V; I
D
=2mA
36
V
V
INTH
Input Threshold
Voltage
V
DS
=V
IN
; I
D
=1mA
0.5
2.5
V
I
ISS
Supply Current from
Input Pin
V
DS
=0V; V
IN
=5V
100
150
μ
A
V
INCL
Input-Source Clamp
Voltage
I
IN
=1mA
I
IN
=-1mA
6
-1.0
6.8
8
-0.3
V
I
DSS
Zero Input Voltage
Drain Current
(V
IN
=0V)
V
DS
=13V; V
IN
=0V; T
j
=25°C
V
DS
=25V; V
IN
=0V
30
75
μ
A
On
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
R
DS(on)
Static Drain-source
On Resistance
V
IN
=5V; I
D
=3A; T
j
=25°C
V
IN
=5V; I
D
=3A
120
240
m
Dynamic (Tj=25°C, unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
g
fs
Forward
Transconductance
V
DD
=13V; I
D
=1.5A
2.5
S
C
OSS
Output Capacitance
V
DS
=13V; f=1MHz; V
IN
=0V
150
pF
Switching (Tj=25°C, unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
t
d(on)
Turn-on Delay Time
V
DD
=15V; I
D
=3A
V
gen
=5V; R
gen
=R
IN MINn
=220
200
400
ns
t
r
Rise Time
1.2
2.5
μ
s
t
d(off)
Turn-off Delay Time
600
1350
ns
t
f
Fall Time
400
1000
ns
t
d(on)
Turn-on Delay Time
V
DD
=15V; I
D
=3A
V
gen
=5V; R
gen
=2.2K
0.80
2.5
μ
s
t
r
Rise Time
3.7
7.5
μ
s
t
d(off)
Turn-off Delay Time
2.6
7.5
μ
s
t
f
Fall Time
2.3
7.0
μ
s
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PDF描述
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參數(shù)描述
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