參數(shù)資料
型號(hào)： VN222LL
英文描述： Obsolete
中文描述： 過(guò)時(shí)
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
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代理商： VN222LL
VN2222LL
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain–Source Breakdown Voltage
(VGS = 0, ID = 100
μ
Adc)
V(BR)DSS
60
–
Vdc
Zero Gate Voltage Drain Current
(VDS = 48 Vdc, VGS = 0)
(VDS = 48 Vdc, VGS = 0, TJ = 125
°
C)
IDSS
–
–
10
500
μ
Adc
Gate–Body Leakage Current, Forward
(VGSF = 30 Vdc, VDS = 0)
ON CHARACTERISTICS
(Note 1.)
IGSSF
–
–100
nAdc
Gate Threshold Voltage
(VDS = VGS, ID = 1.0 mAdc)
VGS(th)
0.6
2.5
Vdc
Static Drain–Source On–Resistance
(VGS = 10 Vdc, ID = 0.5 Adc)
(VGS = 10 Vdc, ID = 0.5 Vdc, TC = 125
°
C)
rDS(on)
–
–
7.5
13.5
Drain–Source On–Voltage
(VGS = 5.0 Vdc, ID = 200 mAdc)
(VGS = 10 Vdc, ID = 500 mAdc)
VDS(on)
–
–
1.5
3.75
Vdc
On–State Drain Current
(VGS = 10 Vdc, VDS
≥
2.0 VDS(on))
ID(on)
750
–
mA
Forward Transconductance
(VDS = 10 Vdc, ID = 500 mAdc)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
gfs
100
–
μ
mhos
Input Capacitance
(VDS = 25 Vdc, VGS = 0,
f = 1.0 MHz)
Ciss
Coss
Crss
–
60
pF
Output Capacitance
–
25
Reverse Transfer Capacitance
–
5.0
SWITCHING CHARACTERISTICS
(Note 1.)
Turn–On Delay Time
(VDD = 15 Vdc, ID = 600 mA,
(VDD 15 Vdc, ID 600 mA,
Rgen = 25
, RL = 23
)
ton
toff
–
10
ns
Turn–Off Delay Time
–
10
1. Pulse Test: Pulse Width
300
μ
s, Duty Cycle
2.0%.
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PDF描述
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VN2224N3 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
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