| 型號: | VN2222 |
| 廠商: | ELAN Microelctronics Corp . |
| 英文描述: | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓220V,N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管) |
| 中文描述: | N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管垂直的DMOS(擊穿電壓220,?溝道增強(qiáng)型垂直的DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管) |
| 文件頁數(shù): | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 27K |
| 代理商: | VN2222 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VN2224 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| VN2224N3 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| VN2406D | N-Channel 240-V (D-S) MOSFETs |
| VN2406D | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(最小漏源擊穿電壓240V,夾斷電流1.12A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管) |
| VN2406LZL1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 200MA I(D) | TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VN2222KM | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement Mode |
| VN2222L | 功能描述:MOSFET 60V 0.23A 0.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VN2222LL | 功能描述:MOSFET 60V 150mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VN2222LL/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Small Signal MOSFET 150 mAmps, 60 Volts |
| VN2222LLG | 功能描述:MOSFET 60V 150mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |