參數(shù)資料
型號： VMO550-01F
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： HiPerFET MOSFET Module
中文描述： 590 A, 100 V, 0.0021 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： VMO550-01F
2 - 2
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
pulsed
330
S
C
iss
C
oss
C
rss
50
nF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
17.6
nF
8.8
nF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
250
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2 (external)
500
ns
800
ns
200
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
2000
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
385
nC
940
nC
R
thJC
R
thJS
0.057 K/W
with 30 m heat transfer paste
0.085 K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
590
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
2360
A
V
SD
I
= I
; V
= 0 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
0.9
1.2
V
t
rr
I
F
= I
S
, -di/dt = 1000 A/ s, V
DS
= 0.5 V
DSS
300
ns
VMO 550-01F
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one of the following U.S.patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VMO580-02F HipPerFETTM Module
VMOB70 MOBILE COMMUNICATIONS
VMP1 HIGHPERFORMANCE CPUs SINGLE-BOARD COMPUTERS
VMX1C1020 Versa Mix 8051 Mixed-Signal MCU
VMX51C900 Versa Mix 8051 MCU with LCD Controller and ADC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VMO580-02F 功能描述:MOSFET HiperFET 200V 580A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VMO60-05F 功能描述:MOSFET 60 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VMO650-01F 功能描述:MOSFET 650 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VMO80-05P1 功能描述:MOSFET N-CH ECO-PAC2 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
VMOB70 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MOBILE COMMUNICATIONS
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