參數(shù)資料
型號： VMM300-02F
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 200V V(BR)DSS | 310A I(D)
中文描述： 晶體管| MOSFET功率模塊|半橋| 200伏五（巴西）直| 310A章（?。?/td>
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 123K
代理商： VMM300-02F
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PDF描述
VMM32-045 TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 450V V(BR)DSS | 32A I(D)
VMM650-01F Dual Power HiPerFETTM Module
VMM85-02F TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 200V V(BR)DSS | 83A I(D)
VMO380-02F MegaMOSTMFET Module
VMO400-02F MegaMOSFET Module
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參數(shù)描述
VMM300-03F 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 300 Amps 300V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
VMM32-045 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 450V V(BR)DSS | 32A I(D)
VMM45-02F 功能描述:MOSFET 45 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VMM650-01F 功能描述:MOSFET 650 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VMM85-02F 功能描述:MOSFET 85 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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