型號(hào): | VFSMO-SERIES |
英文描述: | Peripheral IC |
中文描述: | 外圍芯片 |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 111K |
代理商: | VFSMO-SERIES |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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VFT15-12 | VHF POWER MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
VFT15-28 | VHF POWER MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
VFT150-28 | VHF POWER MOSFET Channel Enhancement Mode |
VFT150-50 | VHF POWER MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
VFT30-28 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | SOT-123 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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VFT10200C | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
VFT10200C-E3/4W | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:10A,200V,TRENCH SKY RECT. |
VFT10200C-E3-4W | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
VFT1045BP | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection |
VFT1045BP-M3/4W | 功能描述:肖特基二極管與整流器 10A 45V TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |