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參數(shù)資料
| 型號： | V58C2256804SHUE6E |
| 廠商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-024FC, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 28/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 1125K |
| 代理商： | V58C2256804SHUE6E |
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V58C2256(804/404/164)SH Rev. 1.1 July 2010
ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2256(804/404/164)SH
DC Operating Conditions & Specifications
DC Operating Conditions
Recommended operating conditions ( Voltage referenced to VSS = 0V )
Notes: 1. VREF is expected to be equal to 0.5*VDDQ of the transmitting device, and to track variations in the DC level of the same. Peak-
to-peak noise on VREF may not exceed 2% of the DC value
2.VTT is not applied directly to the device. VTT is a system supply for signal termination resistors, is expected to be set equal to
VREF, and must track variations in the DC level of VREF
3. VID is the magnitude of the difference between the input level on CK and the input level on CK.
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Note
Supply voltage (for device with a nominal VDD of 2.5V)
VDD
2.3
2.7
I/O Supply voltage
VDDQ
2.3
2.7
V
I/O Reference voltage
VREF
0.49*VDDQ
0.51*VDDQ
V
1
I/O Termination voltage(system)
VTT
VREF-0.04
VREF+0.04
V
2
Input logic high voltage
VIH(DC)
VREF+0.15
VDDQ+0.3
V
Input logic low voltage
VIL(DC)
-0.3
VREF-0.15
V
Input Voltage Level, CK and CK inputs
VIN(DC)
-0.3
VDDQ+0.3
V
Input Differential Voltage, CK and CK inputs
VID(DC)
0.36
VDDQ+0.6
V
3
Input leakage current
II
-2
2
uA
Output leakage current
IOZ
-5
5
uA
Output High Current (VOUT = 1.95V)
IOH
-16.2
mA
Output Low Current (VOUT = 0.35V)
IOL
16.2
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V58C2256804SHUR6 | 32M X 8 DDR DRAM, PBGA60 |
| V58C2256324SHUZ5I | 8M X 32 DDR DRAM, PBGA60 |
| V58C2256404SHLB6I | 64M X 4 DDR DRAM, PBGA60 |
| V58C2256404SHLM5I | 64M X 4 DDR DRAM, PBGA60 |
| V58C2256404SHLZ4E | 64M X 4 DDR DRAM, PBGA60 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V58C265164S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:64 Mbit DDR SDRAM 2.5 VOLT 4M X 16 |
| V58C265404S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 16M X 4 DDR SDRAM 4 BANKS X 4Mbit X 4 |
| V58C265804S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 8M X 8 DDR SDRAM 4 BANKS X 2Mbit X 8 |
| V58C3643204SAT | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 3.3 VOLT 2M X 32 DDR SDRAM 4 X 512K X 32 |
| V58C365164S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:64 Mbit DDR SDRAM 4M X 16, 3.3VOLT |
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