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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V58C2256804SHUE6E |
| 廠商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-024FC, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 15/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 1125K |
| 代理商： | V58C2256804SHUE6E |
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V58C2256(804/404/164)SH Rev. 1.1 July 2010
ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2256(804/404/164)SH
Precharge Timing During Write Operation
Precharge timing for Write operations in DRAMs requires enough time to satisfy the write recovery require-
ment. This is the time required by a DRAM sense amp to fully store the voltage level. For DDR SDRAMs, a
timing parameter (tWR) is used to indicate the required amount of time between the last valid write operation
and a Precharge command to the same bank.
The “write recovery” operation begins on the rising clock edge after the last DQS edge that is used to strobe
in the last valid write data. “Write recovery” is complete on the next 2nd rising clock edge that is used to strobe
in the Precharge command.
Write with Precharge Timing
(CAS Latency = Any; Burst Length = 4)
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
D0
D1
D2
D3
NOP
Write
NOP
PreA
NOP
CK, CK
Command
DQS
DQ
tRAS(min)
tRP(min)
BA
NOP
T9
T10
tWR
D0
D1
D2
D3
DQS
DQ
tWR
BA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V58C2256804SHUR6 | 32M X 8 DDR DRAM, PBGA60 |
| V58C2256324SHUZ5I | 8M X 32 DDR DRAM, PBGA60 |
| V58C2256404SHLB6I | 64M X 4 DDR DRAM, PBGA60 |
| V58C2256404SHLM5I | 64M X 4 DDR DRAM, PBGA60 |
| V58C2256404SHLZ4E | 64M X 4 DDR DRAM, PBGA60 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V58C265164S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:64 Mbit DDR SDRAM 2.5 VOLT 4M X 16 |
| V58C265404S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 16M X 4 DDR SDRAM 4 BANKS X 4Mbit X 4 |
| V58C265804S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 8M X 8 DDR SDRAM 4 BANKS X 2Mbit X 8 |
| V58C3643204SAT | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 3.3 VOLT 2M X 32 DDR SDRAM 4 X 512K X 32 |
| V58C365164S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:64 Mbit DDR SDRAM 4M X 16, 3.3VOLT |
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