參數(shù)資料
型號： V58C2256804SHLT6E
廠商： PROMOS TECHNOLOGIES INC
元件分類： DRAM
英文描述： 32M X 8 DDR DRAM, PDSO66
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, MS-024FC, TSOP2-66
文件頁數(shù)： 51/60頁
文件大小： 1125K
代理商： V58C2256804SHLT6E
55
ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2256(804/404/164)SH
V58C2256(804/404/164)SH Rev. 1.1 July 2010
Figure 45 - WRITE - WITHOUT AUTO PRECHARGE
CK
/CK
COMMAND
NOP
WRITE
CKE
Col
n
RA
A10
BA0, BA1
Bank
x
*Bank
x
BA
DON'T CARE
DI
n = Data In for column n
Burst Length = 4 in the case shown
3 subsequent elements of Data In are applied in the programmed order following DI
n
DIS AP = Disable Autoprecharge
* = "Don't Care", if A10 is HIGH at this point
PRE = PRECHARGE, ACT = ACTIVE, RA = Row Address, BA = Bank Address
NOP commands are shown for ease of illustration; other valid commands may be possible at these times
NOP
PRE
NOP
VALID
ACT
NOP
DIS AP
ONE BANK
ALL BANKS
tCK
tCH
tCL
tIS
tIH
tIS
tIH
tRP
tIH
tIS tIH
RA
x4:A0-A9
x8:A0-A8
x16:A0-A7
x4:A11
x8:A9, A11
x16:A8, A9, A11
DQ
DM
DQS
DI
n
t
tDQSS
t
Case 1:
tDQSS = min
Case 2:
tDQSS = max
DQ
DM
DQS
DI
n
t
tWR
tDQSS
t
WPST
DQSH
DQSL
tWPRES
WPST
DQSH
DQSL
WPRE
WPRES
tWPRE
tDSS
tDSH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
V58C2256804SHUD6E 32M X 8 DDR DRAM, PDSO66
V58C2256804SHUI4 32M X 8 DDR DRAM, PDSO66
V59C1512164QCF3I 32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
V59C1G01168QBLJ-25I DDR DRAM, PBGA84
V59C1G01408QAUP25A 256M X 4 DDR DRAM, PBGA68
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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V58C265404S 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 16M X 4 DDR SDRAM 4 BANKS X 4Mbit X 4
V58C265804S 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 8M X 8 DDR SDRAM 4 BANKS X 2Mbit X 8
V58C3643204SAT 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 3.3 VOLT 2M X 32 DDR SDRAM 4 X 512K X 32
V58C365164S 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:64 Mbit DDR SDRAM 4M X 16, 3.3VOLT
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