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參數(shù)資料
| 型號： | V58C2128164SBLS6 |
| 廠商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60 |
| 封裝： | MO-233, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 58/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 916K |
| 代理商： | V58C2128164SBLS6 |
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7
ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2128(804/404/164)SB
V58C2128(804/404/164)SB Rev. 2.2 March 2007
Block Diagram
Row decoder
Memory array
Bank 0
4096 x 256
x32 bit
Co
lu
m
n
d
e
co
d
e
r
Se
n
s
e
a
m
p
lifie
r&
I(
O
)b
u
s
Row decoder
Memory array
Bank 1
C
o
lu
mn
de
code
r
S
e
ns
e
am
pl
if
ie
r&
I
(O)
b
u
s
Row decoder
Memory array
Bank 2
C
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lu
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dec
ode
r
Se
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p
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r&
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O
)b
u
s
Row decoder
Memory array
Bank 3
Co
lu
m
n
d
e
co
d
e
r
S
e
nse
am
pl
if
ie
r&
I(
O)
b
u
s
Input buffer
Output buffer
DQ0-DQ15
Column address
counter
Column address
buffer
Row address
buffer
Refresh Counter
A0 - A11, BA0, BA1
A0 - A8, AP, BA0, BA1
Control logic & timing generator
CK
E
CS
RA
S
CA
S
WE
DM
Row Addresses
Column Addresses
DLL
Strobe
Gen.
Data Strobe
CK, CK
CK
DQS
4096 x 256
x 32 bit
4096 x 256
x 32 bit
4096 x 256
x 32 bit
8M x 16
Capacitance*
TA = 0 to 70°C, VCC = 2.5V ± 0.2V, VCC = 2.6V ± 0.1V
for DDR400, f = 1 Mhz
*Note: Capacitance is sampled and not 100% tested.
Absolute Maximum Ratings*
Operating temperature range ..................0 to 70 °C
Storage temperature range ................-55 to 150 °C
VDDSupply Voltage Relative to VSS.....-1V to +3.6V
VDDQ Supply Voltage Relative to VSS
......................................................-1V to +3.6V
VREF and Inputs Voltage Relative to VSS
......................................................-1V to +3.6V
I/O Pins Voltage Relative to VSS
..........................................-0.5V to VDDQ+0.5V
Power dissipation .......................................... 1.6 W
Data out current (short circuit) ...................... 50 mA
*Note: Stresses above those listed under “Absolute Maximum
Ratings” may cause permanent damage of the device.
Exposure to absolute maximum rating conditions for
extended periods may affect device reliability.
Input Capacitance
Symbol
Min Max Unit
BA0, BA1, CKE, CS, RAS, (CAS,
A0-A11, WE)
CINI
23.0
pF
Input Capacitance (CK, CK)CIN2
23.0
pF
Data & DQS I/O Capacitance
COUT
45
pF
Input Capacitance (DM)
CIN3
45.0
pF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V58C2128164SBLS7 | 8M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60 |
| V58C2128404SCLJ5 | 32M X 4 DDR DRAM, 0.65 ns, PBGA60 |
| V58C2256324SAH-36 | 8M X 32 DDR DRAM, 0.55 ns, PBGA144 |
| V58C2256404SBJ5 | 64M X 4 DDR DRAM, 0.65 ns, PBGA60 |
| V58C2256164SBLJ5B | 16M X 16 DDR DRAM, 0.65 ns, PBGA60 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V58C2128404S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 128 Mbit DDR SDRAM |
| V58C2128804S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 128 Mbit DDR SDRAM |
| V58C2256 | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 256 Mbit DDR SDRAM |
| V58C2256164S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 256 Mbit DDR SDRAM |
| V58C2256324SAB30 | 制造商:Marvell 功能描述:Marvell V58C2256324SAB30 |
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